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中芯国际40nm工艺的ReRAM存储芯片出样:读取速度比NAND快1000倍_存储_硬件教程

近日，两者合作的结晶终于诞生，中芯国际正式出样40nm工艺的ReRAM芯片,据介绍，这种芯片比NAN

国内首条，昕原半导体 28/22nm ReRAM 12 寸中试线通线试产：除了台积电，只此一家

近日，杭州昕原半导体主导建设的国内首条 28/22nm ReRAM（阻变存储器）12 寸中试生产线